产品中心
当前位置:首页
产品中心
OTSUKA大塚电子
测量仪器
GS-300加载端口兼容胶片 膜厚测量系统

产品型号:GS-300
更新时间:2026-10-21
厂商性质:经销商
访问量:199
服务热线86-755-28118937
产品分类
相关文章
GS-300 是整机自动化晶圆检测设备

GS-300 是日本大塚电子专为 300mm(12 寸)半导体晶圆量产产线开发的 EFEM 前端集成式全自动膜厚 Mapping 检测整机。设备采用分光干涉法,搭载大塚自研 FFT 多层膜解析专立算法,属于产线 Inline 在线检测设备,可直接对接晶圆设备前端 EFEM 的备用 Load Port 装载端口,依靠产线机械手自动上下晶圆,完成整片晶圆厚度分布扫描检测,输出厚度云图与 TTV 总厚度偏差数据,用于半导体先进制程品质监控与良率管控。
型号:GS-300
适用晶圆:Φ300mm(12 寸)裸硅晶圆、TSV 图形晶圆、临时键合复合晶圆、SiC 基板
设备类型:Load Port 端口对接型全自动 Mapping 膜厚检测系统
服务:日本大塚电子出品,国内由大塚电子(苏州)提供技术支持与售后
机柜主体:立式紧凑型钣金机柜,表面防静电无尘涂层,满足半导体 Class1 高洁净车间要求,低粒子析出,避免晶圆污染。整机尺寸 W475×D555×H1600mm,机身窄,可紧贴 EFEM 侧边布置,节省无尘车间宝贵空间。
运动载台:RθXY 四轴高精度运动平台,导轨、传动组件采用低粉尘稳定材质,X-Y 重复定位精度≤2μm,长时间量产连续扫描不易产生位置漂移。
光学测量单元:同轴显微光学测头搭配 IR 红外对位相机,光纤传导光路,光学元件镀高稳定性光学膜;宽光谱光源,抗环境杂光干扰,长期使用光衰小。
晶圆承载腔体:腔体采用低析出洁净材料,真空 / 静电吸附载台,柔和取放晶圆,降低碎片风险;配备安全互锁、急停按钮,符合半导体设备安全规范。
电控系统:工业级工控主机,通讯模块具备强抗干扰能力,支持与产线 MES、EFEM 机械手信号对接,适配工厂复杂电磁环境。
| 项目 | 参数规格 |
|---|---|
| 测量原理 | 分光干涉法,大塚自研 FFT 多层膜解析专立算法 |
| 适配晶圆 | Φ300mm(12 寸)晶圆 |
| 定位方式 | 槽口(Notch)预对准 + IR 红外图案匹配双模式 |
| X-Y 重复定位精度 | ≤2μm |
| 运动平台 | RθXY 四轴全自动 Mapping 载台 |
| 测量范围 | Si 基底:6~1300μm;介质 / 树脂层:0.1μm~1600μm |
| 单点测量速度 | ≤1 秒 / 点 |
| 测量能力 | 支持多层膜解析,可同时测量硅基底、SiO₂、SiN、临时键合树脂层 |
| 数据输出 | 彩色厚度云图、TTV、局部厚度报表,支持 MES 上传 |
| 整机外形尺寸 | W475 × D555 × H1600 mm |
| 集成方式 | 对接 300mm EFEM 备用 Load Port,机械手自动上下料 |
| 工作环境 | 半导体洁净车间,支持 Class1 洁净等级 |
| 供电 | AC220V 工业电源 |
五、产品核心优势与特点
原生适配 EFEM 产线,全自动在线检测可直接挂载在 300mm EFEM 前端模组备用 Load Port 端口,依靠产线机械手自动完成晶圆传入、检测、回传,全程密闭自动化,无需人工搬运晶圆,规避人工操作带来的污染、划痕、碎片风险,不打断原有生产工艺流程。
IR 红外图案匹配定位,支持图形晶圆微区定点测量除传统槽口定位外,内置红外相机可识别晶圆 TSV 沟槽、布线、芯片图形,依托图形匹配完成高精度对位,可在指定芯片图形区域定点测量硅残留厚度,解决 TSV 工艺图形区局部厚度检测难点,裸晶圆与图形晶圆均可兼容。
高精度全域 Mapping 扫描,量化晶圆厚度均匀性RθXY 四轴载台自动扫描整片晶圆,生成彩色厚度分布云图,直观展示晶圆厚薄分布,自动计算 TTV 总厚度偏差、局部最大最小厚度。数据可用于背面研磨、键合工艺均匀性评估,支撑产线 SPC 统计制程管控,提前识别研磨不均、局部过薄等工艺异常。
非接触无损光学检测,具备多层复合膜解析能力采用分光干涉光学原理,测头不接触晶圆表面,不会划伤镜面、图形面;可穿透透明保护膜,一次性解析多层结构,同步获取硅基底、氧化膜、氮化膜、临时键合树脂层等多层膜厚度数据,适配多层复合结构晶圆检测。
洁净紧凑型立式机柜,节约无尘车间空间一体化窄机身立式设计,紧贴 EFEM 侧边安装,不占用主工艺通道;整机低粒子析出,满足高等级洁净车间使用要求。
量产级稳定数据输出,支持对接工厂 MES 系统设备自动记录晶圆 ID、全部点位厚度数据、Mapping 云图,保存检测日志;支持标准通讯协议对接 MES 系统,实现数据自动上传、制程追溯、良率分析,满足半导体工厂数字化生产管理需求。
宽测量范围,多材质基板兼容单台设备覆盖超薄介质膜至厚硅基板、树脂键合层、SiC 宽禁带基板,无需更换测头,适配多道工艺检测需求。
GS-300 面向 12 寸 300mm 晶圆先进半导体制造、先进封装产线,主要应用:
晶圆背面研磨(BG)工艺:晶圆减薄后整片厚度、TTV 均匀性在线检测,监控超薄晶圆研磨品质。
TSV 硅通孔工艺:TSV 图形晶圆研磨后,图形区域硅残留厚度定点检测。
晶圆临时/泳久键合工艺:检测键合树脂层厚度、键合后复合晶圆整体厚度分布,评估键合均匀性。
SOI 晶圆、SiC 宽禁带半导体基板:研磨抛光后的基板厚度 Mapping 检测,功率器件基板品质检验。
先进封装制程:薄晶圆、复合支撑晶圆面内厚度均匀性在线检验,用于制程良率监控。
设备集成安装:将 GS-300 整机布置在 EFEM 前端备用 Load Port 侧,完成机械手通讯对接、I/O 信号调试,接入供电与网络。
晶圆自动传送:EFEM 机械手将待检测晶圆从 FOUP 取出,送入 GS-300 腔体,腔体自动闭合。
晶圆对位:设备自动执行预对准;裸晶圆采用槽口定位,TSV 图形晶圆启用 IR 红外图案匹配,完成高精度坐标校正。
厚度扫描测量:RθXY 载台按预设点位逐点分光干涉测量,单点测量≤1s,同步采集光谱并通过 FFT 算法解析各层膜厚。
数据生成与上传:扫描完成自动生成厚度云图、TTV 报表,数据自动保存,按需上传 MES 系统。
晶圆回传:检测完成腔体开门,机械手取回晶圆,放回 FOUP 或流转至下一工序,完成检测循环。
日常维护:定期清洁光学窗口与载台,监控光源状态,设备支持自动校准;大塚电子提供定期维护与校准服务。
扫码加微信
Copyright © 2026深圳市伟烨鑫科技有限公司 All Rights Reserved 工信部备案号:粤ICP备09037177号
技术支持:化工仪器网 管理登录 sitemap.xml