分光干涉式晶圆厚度计 SF-3 测量仪器

在晶圆等的磨削加工过程中，能够以非接触方式，高速且高精度地测量晶圆或树脂的厚度。

OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆厚度计 SF-3 测量仪器

原理：分光干涉法，通过宽带半导体光源，采集多层界面反射干涉光谱，搭配自研算法（FFT + 优化算法）计算厚度，属于嵌入式在线非接触测厚模组，主要用于半导体晶圆研磨 / 抛光在线厚度监控。

一、产品规格（分型号）

测量对象：Si、SiC、SOI、SiO₂、氮化膜、键合层、临时键合树脂层、化合物半导体基板。

二、产品优点 分光干涉式晶圆厚度计 SF-3 测量仪器

1. 非接触、非破坏性测量：光学式，不触碰样品，不会划伤晶圆，不会污染研磨液，适合薄脆晶圆、软质树脂层量测北崎国际贸...

2. 超高速实时监测：200μs 高速采样，可直接嵌入研磨机、CMP 抛光机，在研磨过程中动态监控厚度，实现制程闭环控制，不是离线抽检

3. 可穿透中间层测量：可透过保护膜、窗口玻璃直接测量下层晶圆厚度，不用移除保护层，适配临时键合工艺Otsuka Ele...

4. 长工作距离可选：多款探头 WD 可选，安装空间自由度高，易于集成到研磨、抛光设备腔体内部

5. 多层膜解析能力：一次性解析最多 5 层结构，可同时测基板厚度 + 键合胶层 + 氧化膜等多层结构

6. 体积小巧，嵌入式模组化设计：小型主机，适合设备 OEM 集成，支持外部触发信号对接自动化产线

7. 自研算法：大塚自有解析算法，抗研磨液、工艺环境干扰，重复性稳定，适合量产 SPC 管控北崎国际贸...

8. 可做面内厚度 Mapping：搭配运动平台可扫描全晶圆，输出厚度分布、TTV 总厚度偏差

三、应用特点与适用场景

核心应用行业：半导体晶圆制造 & 先进封装

1. 晶圆背面减薄 BG（Back Grinding）：硅晶圆研磨减薄过程实时厚度监控，控制最终厚度、TTV 厚度均匀性，超薄晶圆制程（200/300mm 晶圆）

2. CMP 化学机械抛光：抛光过程在线厚度监测，实时判断抛光终点，提升良率

3. 晶圆键合（Wafer Bonding）：临时键合，监控键合层树脂厚度、键合后基板厚度；键合前后厚度分布检测大塚科技股...

4. TSV 硅通孔晶圆：通孔区域上方硅层厚度局部测量，微区厚度检测

5. 宽禁带半导体：SiC、GaN 化合物半导体基板研磨、抛光厚度监控

6. FOPLP 扇出面板级封装：树脂、基板厚度在线监测

应用特点总结

• 定位是产线在线制程监控模组，不是实验室台式机；重点用于研磨 / 抛光动态过程实时监控，实现终点检测

• 可耐受研磨液环境，适合湿式研磨工艺在线监测；

• 兼顾单点高速监测 + 全片 Mapping 两种模式，兼顾量产高速监控与研发全片厚度分析；

• 适配 2 寸～12 寸硅晶圆，也可用于树脂、透明高分子厚膜、玻璃基板厚度检测。